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SCALE-iDriver ICs

为驱动igbt、传统mosfet和SiC mosfet而优化的SCALE-iDriver门驱动集成电路家族,是将Power integration开创性的FluxLink磁感应双向通信技术应用于1200 V和1700 V驱动应用的首批产品。雷电竞靠谱吗

  • FluxLink技术消除了对短寿命光电子和相关补偿电路的需求,从而提高了操作稳定性,同时降低了系统复杂性
  • 先进的系统安全和保护功能,通常用于中高压应用,增强产品可靠性雷电竞靠谱吗
  • 创新eSOP计划爬电9.5 mm,比较跟踪指数(CTI) = 600,保证了较大的运行电压裕量和系统的高可靠性
  • 碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动集成电路在没有外部助推级的情况下可提供最高的峰值输出栅极电流,并可配置为支持不同的栅极驱动电压,以匹配当今SiC mosfet的要求范围
  • AEC-Q100合格为汽车应用雷电竞靠谱吗SCALE-iDriver ic可驱动高达8A @ 125°C的结温,并支持600、650、750和1200V的IGBT和SiC逆变器设计,在没有升压级的情况下可高达几百kW

Power integration谈论的是scale - driver

产品
产品
数据表
描述
最大击穿电压
电源开关
scale - driver SIC1182K in InSOP-24D Package
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

多达8个单通道SiC MOSFET门驱动器,提供先进的主动箝位和增强隔离,最高可达1200v

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多达8个单通道SiC MOSFET门驱动器,提供先进的主动箝位和增强隔离,最高可达1200v

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
scale - driver SIC118xKQ in InSOP-24D Package
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

单通道SiC MOSFET和IGBT门驱动器,具有先进的主动夹紧和增强隔离,用于汽车应用雷电竞靠谱吗

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单通道SiC MOSFET和IGBT门驱动器,具有先进的主动夹紧和增强隔离,用于汽车应用雷电竞靠谱吗

最大击穿电压750v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
sop - 24d软件包中的scale - driver SID1102K
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

多达5个单通道IGBT/MOSFET门驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET增强隔离

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多达5个单通道IGBT/MOSFET门驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET增强隔离

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D软件包中的SID11x1K刻度驱动程序
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

单通道IGBT/MOSFET门驱动器提供增强的电隔离,高达650 V阻塞电压

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单通道IGBT/MOSFET门驱动器提供增强的电隔离,高达650 V阻塞电压

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
标度驱动SID11x2K在InSOP-24D包
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

具有先进的安全和保护功能的电隔离单通道门驱动ic

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具有先进的安全和保护功能的电隔离单通道门驱动ic

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D软件包中的scale - driver SID11xxKQ
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

单通道IGBT/MOSFET门驱动器增强隔离汽车应用雷电竞靠谱吗

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单通道IGBT/MOSFET门驱动器增强隔离汽车应用雷电竞靠谱吗

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET