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sid11x1k

单道通道IGBT/MOSFET栅极驱动器提供高达650 V阻塞电压的加强电流隔离

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IGBT电压类 1200 v
门峰值电流(最大) +5 a
最大开关频率 75.0 kHz
支持的模块类型 IGBT,N通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 基本的主动夹具,ADV软关闭,动态ADV主动夹紧,短路,UVLO(SEC侧),UVLO(PRI侧)
技术 比例尺
接口类型 电气
支持的拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级NP钳位 - 1型,3级NP钳 - 2型2,多级NP挡板
电源电压(典型) 5 v
隔离类型 基本的
隔离技术 FluxLink
时间 - 输出上升 22 ns
时间 - 输出下降 18 ns
驾驶模式 直接独立
主/外围 N/A。
并行支持?
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IGBT电压类 1200 v
门峰值电流(最大) +8 a
最大开关频率 75.0 kHz
支持的模块类型 IGBT,N通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 基本的主动夹具,ADV软关闭,动态ADV主动夹紧,短路,UVLO(SEC侧),UVLO(PRI侧)
技术 比例尺
接口类型 电气
支持的拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级NP钳位 - 1型,3级NP钳 - 2型2,多级NP挡板
电源电压(典型) 5 v
隔离类型 基本的
隔离技术 FluxLink
时间 - 输出上升 22 ns
时间 - 输出下降 18 ns
驾驶模式 直接独立
主/外围 N/A。
并行支持?

产品详情

SID11X1K是ESOP包中的单个通道IGBT和MOSFET驱动程序。Power Integrations的创新固体绝缘体FluxLink技术提供了增强的电流隔离。8峰值输出驱动器电流使产品能够驱动高达600 A(典型)的设备,而无需任何其他活动组件。对于超过SID11X1K独立功能的栅极驱动要求,可以添加外部放大器(助推器)。一个单极隔离电压源提供了稳定的栅极控制正和负电压。

其他功能,例如带有高级软关闭(ASSD)的短路保护(DESAT),用于初级侧和次要侧面和次要侧面的欠压锁定(UVLO),以及温度和工艺补偿输出阻抗保证即使在恶劣的条件下,安全操作也是如此。

控制器(PWM和故障)信号与5 V CMOS逻辑兼容,该逻辑也可以通过使用外部电阻分隔器调整为15 V级别。

高度集成,紧凑的足迹

  • 拆分输出最多可提供8个峰值驱动电流
  • 集成FluxLink™技术
  • 轨道轨道稳定输出电压
  • 次级侧电压电压
  • 适用于600 V / 650 V / 1200 V IGBT和MOSFET开关
  • 提供高达650 V阻塞电压的加强隔离
  • 提供高达1200 V阻塞电压的基本隔离
  • 最多75 kHz开关频率
  • 低传播延迟时间260 ns
  • 传播延迟抖动±5 ns
  • -40°C至125°C工作环境温度
  • 高公共模式瞬态免疫
  • ESOP包装,带9.5毫米蠕变和间隙

高级保护 /安全功能

  • 欠压锁定(UVLO)针对初级和次级和故障反馈的保护
  • 使用V的短路保护cesat监视和故障反馈
  • 高级软关(Assd)

完全安全和法规合规性

  • 100%生产部分放电测试
  • 100%生产Hipot合规性测试在6 kV RMS 1 s
  • 根据VDE 0884-10的增强绝缘材料正在待处理

绿色包裹

  • 不含卤素和ROHS

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