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SCALE-iDriver ICs

SCALE-iDriver家族门驱动器集成电路,优化驱动igbt,传统mosfet和SiC场效电晶体,是第一个产品带电源集成的开创性FluxLink magneto-inductive双向通信技术1200 V和1700 V驱动程序的应用程序。雷电竞靠谱吗

FluxLink技术不需要短暂的光电和相关补偿电路,从而提高操作稳定性,同时降低系统的复杂性
先进的系统安全和保护功能,通常能在中期和高压应用,提高产品的可靠性雷电竞靠谱吗
创新eSOP计划功能9.5毫米的蠕变和比较跟踪指数(CTI) = 600,确保实质性操作电压幅度,系统可靠性高
碳化硅(SiC)的MOSFET门驱动器ICs提供可用的最高峰值功率门当前没有外部刺激阶段,可以配置为支持不同的栅极驱动电压匹配需求的范围出现在今天的SiC mosfet
AEC-Q100合格为汽车应用雷电竞靠谱吗SCALE-iDriver ICs可以抬高8 @ 125°C的结温,和支持600年、650年、750年和1200 v IGBT和SiC逆变器设计到几百千瓦没有升压阶段

功率集成谈到SCALE-iDriver

产品
产品	数据表	描述	最大击穿电压	电源开关
SIC1182K 8单通道SiC MOSFET栅极驱动程序提供先进的主动夹紧和强化隔离1200 V	数据表查看PDF	描述 8单通道SiC MOSFET栅极驱动程序提供先进的主动夹紧和强化隔离1200 V	最大击穿电压600 V、1200 V	电源开关SiC MOSFET
SIC118xKQ 单通道SiC MOSFET和IGBT门驱动器与先进的主动夹紧和钢筋为汽车应用程序隔离雷电竞靠谱吗	数据表查看PDF	描述单通道SiC MOSFET和IGBT门驱动器与先进的主动夹紧和钢筋为汽车应用程序隔离雷电竞靠谱吗	最大击穿电压750 V、1200 V	电源开关SiC MOSFET
SID1102K 5单通道IGBT / MOSFET栅极驱动程序提供了隔离1200 V IGBT、MOSFET	数据表查看PDF	描述 5单通道IGBT / MOSFET栅极驱动程序提供了隔离1200 V IGBT、MOSFET	最大击穿电压600 V、1200 V	电源开关IGBT、MOSFET
SID11x1K 单通道IGBT / MOSFET栅极驱动提供钢筋电隔离闭锁电压650 V	数据表查看PDF	描述单通道IGBT / MOSFET栅极驱动提供钢筋电隔离闭锁电压650 V	最大击穿电压650 V、1200 V	电源开关IGBT、MOSFET
SID11x2K 通电的孤立的单通道门驱动器集成电路与高级安全与保护功能	数据表查看PDF	描述通电的孤立的单通道门驱动器集成电路与高级安全与保护功能	最大击穿电压600 V、1200 V	电源开关IGBT、MOSFET
SID11xxKQ 单通道IGBT / MOSFET栅极驱动与钢筋为汽车应用程序隔离雷电竞靠谱吗	数据表查看PDF	描述单通道IGBT / MOSFET栅极驱动与钢筋为汽车应用程序隔离雷电竞靠谱吗	最大击穿电压600 V、1200 V	电源开关IGBT、MOSFET