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SCALE-iDriver集成电路

SCALE-iDriver系列门极驱动器IC可同时为IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驱动,也是首款将功率集成首创的FluxLink磁感双向通信技术引入1200 V和1700 V驱动器应用的产品。

  • FluxLink可省去寿命相对较短的光电器件和相关补偿电路,从而增强系统运行的可靠性,同时降低系统的复杂度
  • 先进的系统安全和保护功能(常用于中压和高压应用)可增强产品可靠性
  • 公司股票具有9.5毫米爬电距离,并且相对漏电起痕指数(CTI)为600,可确保实现更大的工作电压裕量和更高的系统可靠性
  • 硅(SiC) MOSFET门极驱动器IC可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级,经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC MOSFET的需求
  • aec-q100SCALE-iDriver IC可在125°C结温下提供8 a驱动,并且可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600 v、650 v、750 v和1200 v IGBT和SiC逆变器设计

电源集成

产品
产品
数据手册
产品描述
最大击穿电压
功率开关
scale - driver SIC1182K in InSOP-24D Package
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

碳化硅MOSFET元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件

数据表pdf 描述

碳化硅MOSFET元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件元件

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
isop - 24d封装中的scale - driver SIC118xKQ
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

碳化硅MOSFET、IGBT、钳

数据表pdf 描述

碳化硅MOSFET、IGBT、钳

最大击穿电压750伏,1200伏 电源开关SiC MOSFET
scale - driver SID1102K in InSOP-24D Package
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

5最大的单通道IGBT、MOSFET门极驱动器,可为耐压1200 v的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

数据表pdf 描述

5最大的单通道IGBT、MOSFET门极驱动器,可为耐压1200 v的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
scale - driver SID11x1K in InSOP-24D Package
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

【中文翻译】:英文翻译

数据表pdf 描述

【中文翻译】:英文翻译

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
scale - driver SID11x2K in InSOP-24D Package
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

这句话的意思是

数据表pdf 描述

这句话的意思是

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D封装中的scale - driver SID11xxKQ
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

【中文翻译

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最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET