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Hiper

ICs的Hiper家庭multi-die heat-sinkable(通过金属散热器或铜箔的PCB), SIP或SMD包装模块离线电源从75 W到400 W。他们把控制器和高压开关需要实现功率因数校正和高压直流/直流转换为各种不同的应用程序包括LED照明、电脑和电视,视频游戏,打印机、复印机和电动工具充电器。雷电竞靠谱吗

支持拓扑CCM和DC雷竞技官网网站M提高PFC, Two-Switch向前和谐振半桥(LLC)。Hiper产品特点是组件数量非常低,可靠性高,广泛的特性集,热保护和电气保护自我和负载。开发者受益于高度紧凑的系统实现,简单的散热片附件,低EMI和较小的磁性元件。

产品
产品
数据表
描述
拓扑结构
最大击穿电压
功率级
HiperLCS eSIP-16J包
HiperLCS
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电视

高压功率场效应管和集成LLC控制器,驱动程序

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高压功率场效应管和集成LLC控制器,驱动程序

拓扑结构LLC半桥 最大击穿电压530 V 功率级440 W
HiperLCS2-HB电力设备,InSop-24C包
HiperLCS-2
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电视

HiperLCS-2是一种效率高、离线LLC切换器IC芯片。它包括:

  • HiperLCS2-HB,半桥功率器件与集成600 V FREDFETs,和
  • HiperLCS2-SR安全隔离装置,同步整流和FluxLink反馈

注意:HiperLCS-2很容易搭配HiperPFS-5PFC电路。

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HiperLCS-2是一种效率高、离线LLC切换器IC芯片。它包括:

  • HiperLCS2-HB,半桥功率器件与集成600 V FREDFETs,和
  • HiperLCS2-SR安全隔离装置,同步整流和FluxLink反馈

注意:HiperLCS-2很容易搭配HiperPFS-5PFC电路。

拓扑结构LLC半桥 最大击穿电压600 V 功率级220 W
HiperPFS-3 eSIP-16D包
HiperPFS-3
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PFC控制器集成高压MOSFET和Qspeed二极管优化高PF负荷范围和效率

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PFC控制器集成高压MOSFET和Qspeed二极管优化高PF负荷范围和效率

拓扑结构PFC 最大击穿电压530 V 功率级1000 W
HiperPFS-4-in eSIP-16G包
HiperPFS-4
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PFC控制器集成600 V MOSFET和二极管的选择优化高PF负荷范围和效率

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PFC控制器集成600 V MOSFET和二极管的选择优化高PF负荷范围和效率

拓扑结构PFC 最大击穿电压600 V 功率级610 W
HiperPFS-5 InSOP-T28F包——最高
HiperPFS-5
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电视
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先进的功率因数校正(PFC)控制器集成电路与集成750 VPowiGaN开关,优化了高功率因数(PF)和效率在整个负载范围。

  • 为LLC拓扑240 W,一对PFS517xF与HiperLCS-2芯片组
  • 对于反激拓扑110 W,一对PFS527xF(自偏压)InnoSwitch4-CZ切换器集成电路

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先进的功率因数校正(PFC)控制器集成电路与集成750 VPowiGaN开关,优化了高功率因数(PF)和效率在整个负载范围。

  • 为LLC拓扑240 W,一对PFS517xF与HiperLCS-2芯片组
  • 对于反激拓扑110 W,一对PFS527xF(自偏压)InnoSwitch4-CZ切换器集成电路
拓扑结构PFC 最大击穿电压750 V 功率级240 W
HiperPFS-2 eSIP-16D包
HiperTFS-2
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电视

结合Two-Switch前进和回扫电源控制器和集成高压mosfet

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结合Two-Switch前进和回扫电源控制器和集成高压mosfet

拓扑结构2开关向前 最大击穿电压725 V 功率级586 W