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SIC1182K

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는최대8 a단일채널SiC MOSFET게이트드라이버

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产品部分
제품
데이터시트
Igbt전압등급
최대스위칭주파수
게이트피크전류(최대)
메tmp /주변
지원되는모듈유형
논리입력전압
보호 기능
기술
지원되는토폴로지
터페이스유형
공급전압(일반)
격리 유형
격리 기술
시간-출력하락
시간-출력상승
드라이브모드
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IGBT电压等级 1200 V
最大开关频率 150.0千赫
栅极峰值电流(最大) + 8
主要/外围 N/A
支持的模块类型 碳化硅
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,动态Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-iDriver
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
接口类型
供电电压(类型) 5伏
隔离型 钢筋
隔离技术 Fluxlink
时间-产量下降 18 ns
时间-产量上升 22 ns
驱动方式 Direct-Independent
并联支持吗? 没有

제품상세정보

SIC1182K는SiC MOSFET용eSOP-R16B패키지의단일채널게이트드라이버입니다。강화갈바닉절연은파워인테그레이션스(功率集成)의혁신적인고체절연체인FluxLink기술로제공되며,최대±8 a피크출력드라이브전류는제품이최대600 (typ)의정격전류로장치를구동할수있게합니다。

1차측및2차측에대한저전압록아웃(UVLO)온도및프로세스보정출력임피던스등의추가기능을갖는轨到轨출력은혹독한상황에서도안전한작동을보장합니다。

또한이게이트드라이버IC는단일센싱핀을통해회로단락보호기능(턴온단계)과과전압제한기능을결합한새로운기능인,향상된액티브클램핑(턴오프단계)을제공합니다。피구동반도체에전류센싱단자가공급되면조정가능한과전류감지시스템이지원됩니다。

높은집적도,작은공간

  • 600V/650V/1200V SiC MOSFET스위치에적합함
  • ±8a피크게이트출력전류
  • 강화된절연기능을탑재한FluxLink™기술통합
  • 향상된액티브클램핑
  • Uvlo 1차측및2차측
  • 과전류고장턴오프
  • 회로단락전류고장턴오프
  • Rail-to-rail정된출력전압
  • 2차측을위한유니폴라공급전압
  • 최대150kHz스위칭주파수
  • 전파지연지터±5ns
  • -40 ~ +125°c의작동주변온도
  • 높은커먼모드과도응답내성
  • 9.5mm의연면거리및공간거리를갖는eSOP패키지

보호/전기능

  • 고장피드백을포함하는1차측및2차측관련저전압차단기능
  • 전류센싱단자가포함된SiC MOSFET의과전류감지
  • 초고속회로단락모니터링
  • 과전압제한턴오프(향상된액티브클램핑)

높은전성및규정준수

  • 100%생산부분방전테스트
  • 100%생산hipot준수테스트
  • 강화된절연기능의vde v 0884-10外公外公
  • Ul 1577승대기중

친환경패키지

  • 할로겐프리및RoHS준수

애플리케이션

  • 범용및서보드라이브
  • Ups, pv,용접,버터및파워서플라이
  • 기타산업용애플리케이션

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