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inn2003休假后重置重置

发表者:M.HARMS05/20/2022

你好呀,

我曾在Inno2003进行设计。它运行良好,还测试了。

现在,第一个1k的电子设备是构建的,在长时间的热测试中,一些电子设备会出现问题。我检查了电子设备,并发现电源不可行。Inn2003仅工作约300ms。在发送SR PWM的那一刻,输出电压下降,设备重置。

我可以在SR PIN上破裂的晶体管解决这个问题吗?

还有其他想法为什么芯片重置?

댓글

由Pi-Wrench于20122年5月20日提交

最好使用电流探针监视初级侧的排水流,以查看排水电流是否升高到过电流的保护阈值。SR FET破裂或定时使用的SR FET驱动器将实现这一目标。在次级侧监视SR FET驱动器也是一个好主意,以确保SR FET在主开关打开时持续下去。

由M.Harms于05/23/2022提交

在测量SR FET期间,电子会损坏。

高电流穿过主要侧并破坏IC。一个新的IC在电子上不起作用。我将等待下一个损坏电子,以进行一些测量。

由M.Harms于05/24/2022提交

我得到了另一个具有相同行为的电子。

这次我可以进行一些测量。我没有电流探针来测量主MOSFET的排水电流。

첨부파일 파일크기
Vout 39.21 kb
SR FET门 43.45 kb
SR FET来源 55.98 kb
SR FET漏气 67.38 kb
由Pi-Wrench于20122年5月26日提交

输出同步FET交叉传导事件可能会破坏主开关FET或输出同步FET或两者兼而有之。请分享您的设计文件,包括布局(如果可能的话)。由于布局程序兼容性问题,对于布局而不是Gerber文件,图像文件是可取的。

由M.Harms于06/08/2022提交

这里的电源示意图。

如果主要开关破裂,则不应在主侧开关,要么是偏斜的侧面吗?

첨부파일 파일크기
zwischenablage01.png 50.02 kb
由Pi-Wrench提交给06/13/2022

是的 - 如果主开关短路,则不会有主开关或辅助开关,也可能没有输入保险丝。

监视次级同步整流器上的电压,驱动器信号和同步FET的电压以及主开关波形,以确保没有交叉传导事件,并且输出的排水额定值同步整流器未超过。非最佳PCB布局可能会使交叉降解事件更有可能。