SID1183K
1700vのigbtとmosfetに対してに対して基础をするする最大大大大大大大大大大大大大大のののシングルシングル
これは新しいに推奨されアクティブ制品です。
建议的替代方案：
2SC0108T
アプリケーション
制品详细
sid1183kは，パッケージパッケージ组み込まチャンネルチャンネルチャンネルチャンネルチャンネルチャンネルチャンネルチャンネル及び及び及びドライバドライバドライバです。ガルバニックガルバニックガルバニック，，，，，，，，ははははははのののの革新革新な绝绝縁縁縁縁縁縁縁縁縁縁縁技术技术技术技术技术によってによって実现600 aで最大を必要必要とせ最大最大最大最大でをsid1183kのsid1183kののののの性能性能を超える超えるゲートゲートゲートドライバのの要件要件に対してに対してに対してはははは，外部ブースター追加追加追加追加电圧は绝縁れ単一电圧によってされます。
（assd）を（desat），/二/二二二侧ののためための低アウトアウトアウトアウトアウトアウトアウトアウトアウトアウト，，，温度とプロセスプロセスででたたたた机能によりな状况も安全ながささますます。
コントローラ（pWmとと）信号信号信号信号のcmosロジックロジック互换があり，外部の抵抗抵抗分割回路するするするするするするとととととととととレベルレベルレベルレベルレベル
高集积化，小さな面积
- 8 a aピークドライブをする分割出力出力
- 一次と次侧の间にななを提供提供するするする内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵
- レイルツーレイルの出力电圧
- 二次に対して単一电圧动作
- 1700 vのigbtスイッチ及び及び及びスイッチスイッチ适适适
- 75 kHzのの周波数数
- 260 nsの短いディレー时间
- ±5 nsのディレージッター
- -40℃～125℃の周囲温度温度
- 优れたコモン过渡耐性
- 9.5毫米の距离と距离距离にしたたた
优れ/安全/安全特性
- 一次と次侧の电圧ロック保护（uvlo）ととフィードバックフィードバック
- vcesatモニタリング及びフィードバックダイオードまたはチェーンをした保护保护
- アドバンストソフトシャット（ASSD）
安全规格规制に対して完全准拠
- 100％部分试験试験试験试験试験试験
- 6 kV rms（1秒）ののでのののののののの
- 基础基础はvde 0884-10にに适合
グリーンパッケージ
- ハロゲン化不，，，指令
