SiC MOSFET電源スッチの駆動

幅広いSCALEゲ

シリコンカーバイド(原文如此)MOSFETは高電力インバータアプリケーションのスイッチング性能を大幅に改善し,高いブレークダウン電界強度とキャリアドリフト速度を実現しつつ放熱性を向上させます。ただし,SiCはよりコンパクトな設計でより高速の短絡保護を必要とするため,ゲートドライバにとって,さまざまなSiCアーキテクチャにおける電圧の相違をサポートする必要があるというSiC MOSFET固有の課題が存在します。

SCALE-iDriver IC - mosfetゲ

πの新しいSIC1182K SCALE-iDriver ICは外部ブーストステージを必要とせず,最高のピーク出力ゲート電流を提供する高効率でシングルチャネルのSiC MOSFETゲートドライバです。現在のSiC MOSFETに必要とされるさまざまなゲートドライブ電圧をサポートするように構成できます。

SCALE-2 SCALE-2 +ゲートドライバコア及びSCALE-iDriverゲートドライバIC

SCALE-2及びSCALE-2 +ゲートドライバコア,SCALE-iDriverゲートドライバICは従来のIGBTやMOSFETなどのSiベースのパワーデバイスの駆動に加えて,SiC MOSFETを駆動できます。

PIのゲトドラバ製品

• SIC1182K- SiC MOSEFTゲ
• SCALE-iDriver—ゲトドラバIC
• 2 sc0115t-12- scale-2 +ドラeconfバコア
• 2 sc0435t-17- scale-2 +ドラeconfバコア
• 1 sc2060p-17—プレナトランスを付属するscale-2ドラ
• 2 sc0650p-17—プレナトランスを付属するscale-2ドラ
• 2 sc0535t-17- scale-2ドラドラ
• 2 sc0635t-45- scale-2ドラドラ

ゲトドラSiC固有の課題

SiC MOSFETは,サプライヤや世代により,それぞれゲートのターンオン及びターンオフ電圧レベルに関する固有の課題があります。デバイスの中には15 V / -10 Vで動作するものや19 V / 6 Vで動作するものがあります。また,ゲートソースの安全動作領域で動作するようにターンオン電圧の制御を必要とするデバイスがある一方,負のターンオフ電圧制御を必要とするデバイスもあります。

さまざまな仕様に合わせて规模ゲートドライバを調整するために,ゲートのターンオン及びターンオフの正負の電圧レベルを制御する電圧パーティショニング(v字形レギュレータ)を無効にすることができます。詳細にいては，An-1601のアプリケトを参照してください。

図 2.さまざまなSiC MOSFETのV_GS要件を満たすドラiphone iphoneブ調整機能を有するSCALE-iDriver

図 3.VEx/VEEピンを使用したさまざまなSCALEゲ

SCALEゲトドラSic MOSFETを駆動する理由

外部vee回路による調整可能なゲ回路による調整可能なゲト電圧 2 μs以下の短絡応答時間 高出力電流供給能力 高絶縁能力 Dv /dtフィドバック搭載のアドバンストアクティブクランプ機能 最大500千赫の高ス 最大4.5 kVのSiC MOSFETブレ 高MTBF/低FITrate Mosfetモジュルの並列化 すべてのSiC MOSFET設計に適合

Sic1182kの包括的な保護機能

SiCアドバンストアクティブクランプ 超高速短絡監視機能 過電流異常タンオフ 一次及び二次低電圧ロックアウト(uvlo)