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SCALE-iDriver ICs

SCALE-iDriver系列栅极驱动ic,针对驱动igbt、传统mosfet和SiC mosfet进行了优化,是首款将Power integration公司开创性的FluxLink磁感双向通信技术应用于1200 V和1700 V驱动应用的产品。雷电竞靠谱吗

  • FluxLink技术消除了对短寿命光电子器件和相关补偿电路的需求,从而提高了操作稳定性,同时降低了系统的复杂性
  • 先进的系统安全性以及保护功能,通常用于中、高压应用,提高产品的可靠性雷电竞靠谱吗
  • 创新的员工持股计划具有9.5 mm漏电和比较跟踪指数(CTI) = 600,确保大量的工作电压裕度和高系统可靠性
  • 碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动ic在没有外部升压级的情况下提供最高的峰值输出栅极电流,并且可以配置为支持与当今SiC mosfet中看到的要求范围相匹配的不同栅极驱动电压
  • AEC-Q100合格汽车应用雷电竞靠谱吗SCALE-iDriver集成电路可以驱动高达8A @ 125°C结温,并支持600,650,750和1200V的IGBT和SiC逆变器设计,高达数百千瓦,没有升压级

Power integration谈到scale - driver

产品
产品
数据表
描述
最大击穿电压
电源开关
scale - driver SIC1182K in InSOP-24D Package
SIC1182K
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

多达8个单通道SiC MOSFET栅极驱动器,提供先进的主动箝位和增强隔离,最高可达1200 V

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多达8个单通道SiC MOSFET栅极驱动器,提供先进的主动箝位和增强隔离,最高可达1200 V

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
isop - 24d封装中的scale - driver SIC118xKQ
SIC118xKQ
牵引逆变器
场外的图标

单通道SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器具有先进的主动箝位和增强隔离汽车应用雷电竞靠谱吗

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单通道SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器具有先进的主动箝位和增强隔离汽车应用雷电竞靠谱吗

最大击穿电压750伏,1200伏 电源开关SiC MOSFET
scale - driver SID1102K in InSOP-24D Package
SID1102K
交流电机图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

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多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
scale - driver SID11x1K in InSOP-24D Package
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器提供增强的电流隔离高达650 V阻断电压

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单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器提供增强的电流隔离高达650 V阻断电压

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
scale - driver SID11x2K in InSOP-24D Package
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

具有先进安全和保护功能的电隔离单通道栅极驱动器ic

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具有先进安全和保护功能的电隔离单通道栅极驱动器ic

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D封装中的scale - driver SID11xxKQ
SID11xxKQ
牵引逆变器
场外的图标

增强隔离的单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,用于汽车应用雷电竞靠谱吗

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增强隔离的单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,用于汽车应用雷电竞靠谱吗

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET