SIC1182K
アドバンストアドバンスト（AAC）と1200vまでまで强化を提供最最最大大大大大大大大最最最最最最最最最最するするのののシングルシングル
アプリケーション
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制品
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データシート
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IGBT电圧クラス
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最大スイッチング周波（KHz）
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门峰值电流（最大）
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メイン/周辺
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サポートさているモジュールタイプ
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ロジック入力电圧
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保护机能
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技术
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サポートされいるトポロジ
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インターフェイスタイプ
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供给（标准）
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隔离タイプ
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分离技术
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时间-出力出力
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时间-出力出力上升
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ドライブモード
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并列サポート？
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数据表
pdfを表示
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IGBT电压类
1200 v
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最大开关频率
150.0 kHz
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门峰值电流（最大）
+8 a
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主/外围
N/A。
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支持的模块类型
碳化硅
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逻辑输入电压
5
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保护功能
ADV主动夹紧，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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接口类型
电气
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电源电压（典型）
5 v
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隔离类型
加强
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隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出下降
18 ns
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时间 - 输出上升
22 ns
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驾驶模式
直接独立
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并行支持？
不
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制品详细
sic1182k sic mosfet向け：ESOP-R16B）ですパッケージパッケージパッケージパッケージパッケージパッケージパッケージパッケージですですですですですです强化绝縁绝縁ははは，，，，，，，，，，，，，，ののののの革新的的でででで坚牢ななな绝縁であるであるであるであるであるであるであるであるであるであるであるであるであるであるであるであるである600 a（标准）のののデバイデバイデバイ
（uvlo），，次侧二二のアウト，，，プロセス补正されたた出力インピーダンスを有するレイルレイルツーレイルツーレイル出力のの追加追加机能によりにより，过酷な状况
ドライバドライバドライバドライバには一つのピンピンででクランプクランプクランプクランプ（ターンターン时时クランプクランプクランプ）る半导电流センスが场合は调整可能过电流検出机能机能をサポートサポート。。。
高集积化，コンパクト実装
- 600 V/650 V/1200 Vのsic MOSFETスイッチスイッチ适适
- ±8 aのピーク电流电流
- FluxLink™技术强化绝縁绝縁を実现するする内蔵内蔵
- アドバンストアクティブクランプ
- 一次及び二侧のののの
- 过电流异常オフ
- 短络电流异常オフ
- レイルツーレイルの出力电圧
- 二次単一电圧动作
- 150 kHzのの数数数
- ±5 nsの遅延ジッター
- -40 ++125℃℃动作温度温度
- 优れたコモン过渡耐性
- 9.5毫米の及び空间距离を実现するする
保护／安全机能
- フィードバック含む一侧及び二の电圧电圧アウトアウト保护
- sic mosfetののの过电検出検出検出
- 超高速短络监视机能
- ターンオフ电圧制限（アドバンストクランプ）
安全规格及び准拠
- 100％部分试験试験试験试験试験试験
- Hipot 100％准拠试験试験试験试験试験试験
- 强化强化はvde 0884-10规格规格认定
- UL 1577承认保留中
グリーンパッケージ
- ハロゲン化不，，，指令
用途
- 泛用ドライブ及びドライブ
- UPS，pv（电池），，溶接，电源电源电源
- その他の用用途
