ソリュションファンダ 技術サポ,ト

SIC1182K

アドバンストアクティブクランプ(AAC)と1200 Vまでの強化絶縁を提供する最8大のシングルチャンネルシリコンカーバイド(原文如此)MOSFETゲートドライバ

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製品詳細

SIC1182Kは,SiC MOSFET向けのシングルチャンネルゲートドライバ(パッケージ:eSOP-R16B)です。強化ガルバニック絶縁は,功率集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLinkによって実現されます。最大8±のピーク出力ドライブ電流により,最大定格電流600(標準)のデバイ���を駆動できます。

一次側及び二次側の低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

さらに,このゲートドライバICには,一つのセンスピンで実現できるアドバンストアクティブクランプ(ターンオフ時)という新機能があり,短絡保護(ターンオン時及びその期間)及び過電圧制限と組み合わせることができます。駆動される半導体に電流センス端子がある場合は,調整可能な過電流検出機能をサポ,トします。

仕様

仕様
最大スepッチング周波数(kHz) 150.00千赫
Igbt電圧クラス 1200 V
技術 SCALE-iDriver
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チャネル数 1
ゲ、トピ、ク電流(最大) + 8
製品タ@ @プ 集成电路
产品子类型 驱动晶片
サポトされているモジュルタプ 碳化硅
メ▪▪ン/周辺 N/A
サポ,トされているトポロジ
2级电压源
3级NP-Clamped -类型1
3级NP-Clamped -类型2
多层次NP-Clamped
保護機能
主动夹紧
动态Adv主动夹紧
短路
UVLO (Sec-side)
UVLO (Pri-side)
ドラ▪▪ブモ▪▪ド Direct-Independent
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 5.00 V
時間-出力の上昇 22.00 ns
時間 - 出力低下 18.00 ns
分離技術 Fluxlink
隔離タ@ @プ 钢筋
ゲ、トピ、ク電流(最小) 8