SIC1182K
アドバンストアクティブクランプ(AAC)と1200 Vまでの強化絶縁を提供する最8大のシングルチャンネルシリコンカーバイド(原文如此)MOSFETゲートドライバ
アプリケ，ション
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製品
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デ，タシ，ト
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Igbt電圧クラス
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最大スepッチング周波数(kHz)
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栅极峰值电流(最大)
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メ▪▪ン/周辺
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サポトされているモジュルタプ
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ロジック入力電圧
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保護機能
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技術
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サポ，トされているトポロジ
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供給電圧 (標準)
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隔離タ@ @プ
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分離技術
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時間 - 出力低下
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時間-出力の上昇
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ドラ▪▪ブモ▪▪ド
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並列サポト?
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数据表
PDFを表示
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IGBT电压等级
1200 V
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最大开关频率
150.0千赫
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栅极峰值电流(最大)
+ 8
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主要/外围
N/A
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支持的模块类型
碳化硅
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逻辑输入电压
5
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保护功能
Adv主动夹紧，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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接口类型
电
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
18 ns
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时间-产量上升
22 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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并联支持吗?
没有
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製品詳細
SIC1182Kは,SiC MOSFET向けのシングルチャンネルゲートドライバ(パッケージ:eSOP-R16B)です。強化ガルバニック絶縁は,功率集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLinkによって実現されます。最大8±のピーク出力ドライブ電流により,最大定格電流600(標準)のデバイ���を駆動できます。
一次側及び二次側の低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
さらに,このゲートドライバICには,一つのセンスピンで実現できるアドバンストアクティブクランプ(ターンオフ時)という新機能があり,短絡保護(ターンオン時及びその期間)及び過電圧制限と組み合わせることができます。駆動される半導体に電流センス端子がある場合は，調整可能な過電流検出機能をサポ，トします。
高集積化，コンパクトな実装
- 600v / 650v / 1200vのSiC MOSFETスemcッチに最適
- ±8 aのピ，クゲ，ト出力電流
- 強化絶縁を実現する内蔵FluxLink™技術
- アドバンストアクティブクランプ
- 一次側及び二次側のuvlo
- 過電流異常タ，ンオフ
- 短絡電流異常タ，ンオフ
- レルルの安定出力電圧
- 二次側 単一電圧動作
- 最大150 kHzのスaaplッチング周波数
- ±5 nsの伝搬遅延ジッタ
- -40℃~ +125℃の動作周囲温度
- 優れたコモンモ，ド過渡耐性
- 9.5 mmの沿面及び空間距離を実現するeSOPパッケ，ジ
保護／安全機能
- フィ，ドバック異常を含む一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護
- 電流センス端子によるSiC MOSFETの過電流検出
- 超高速短絡監視機能
- タ，ンオフ過電圧制限(アドバンストアクティブクランプ)
安全規格及び規制準拠
- 生産ラesc escンでの100%部分放電試験
- 生産ラesc escンでのhipot 100%準拠試験
- 強化絶縁はvde 0884-10規格認定
- Ul 1577承認保留中
グリ，ンパッケ，ジ
- ハロゲン化合物不使用，RoHS指令適合
用途
- 汎用ドラ▪▪ブ及びサ▪▪ボドラ▪▪ブ
- Ups, pv(太陽電池)，溶接用ンバタ，及び電源
- その他の産業用用途
