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SCALE-iDriver集成电路

SCALE-iDriver™系列閘極驅動器IC可同時為IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驅動,也是首款將功率集成首創的FluxLink™磁感雙向通信技術引入1200 V和1700 V驅動器應用的產品。

  • FluxLink技術可省去壽命相對較短的光電器件和相關補償電路,從而增強系統運行的可靠性,同時降低系統的複雜度
  • 先進的系統安全和保護功能(常用於中壓和高壓應用)可增強產品可靠性
  • 創新的eSOP封裝具有9.5毫米爬電距離,並且相對漏電起痕指數(CTI)為600,可確保實現更大的工作電壓裕量和更高的系統可靠性
  • 碳化矽(SiC) MOSFET閘極驅動器IC可提供最大峰值輸出閘極電流且無需外部升壓階段,經過設定後可支持不同的閘極驅動電壓,來滿足市售SiC MOSFET的需求
  • aec-q100認證汽車應用SCALE-iDriver IC可在125°C結溫下提供8 a驅動,並且可在不使用升壓階段的情況下支持輸出功率在數百千瓦以內的600 v、650 v、750 v和1200 v IGBT和SiC逆變器設計

电源集成談SCALE-iDriver

产品
產品
產品規格型錄
說明
最大擊穿電壓
電源開關
scale - driver SIC1182K in InSOP-24D Package
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

高達8 A的單通道SiC MOSFET閘極驅動器,提供了高達1200 V的進階主動箝位和增強型絕緣

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高達8 A的單通道SiC MOSFET閘極驅動器,提供了高達1200 V的進階主動箝位和增強型絕緣

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
scale - driver SIC118xKQ in InSOP-24D Package
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

適用於汽車應用,高達8 A的單通道SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器,提供了高達1200 V的進階主動箝位和增強型絕緣

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適用於汽車應用,高達8 A的單通道SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器,提供了高達1200 V的進階主動箝位和增強型絕緣

最大击穿电压750v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
sop - 24d软件包中的scale - driver SID1102K
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

高達5 A的單通道IGBT / MOSFET閘極驅動器,可提供高達1200 V閉鎖電壓的增強型電流絕緣

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高達5 A的單通道IGBT / MOSFET閘極驅動器,可提供高達1200 V閉鎖電壓的增強型電流絕緣

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D软件包中的SID11x1K刻度驱动程序
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

高達8 a的單通道igbt / mosfet閘極驅動器,可提供高達650 v閉鎖電壓的增強型電流絕緣

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高達8 a的單通道igbt / mosfet閘極驅動器,可提供高達650 v閉鎖電壓的增強型電流絕緣

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
标度驱动SID11x2K在InSOP-24D包
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

高達8 a的單通道igbt / mosfet閘極驅動器,提供增強電化絕緣

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高達8 a的單通道igbt / mosfet閘極驅動器,提供增強電化絕緣

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D软件包中的scale - driver SID11xxKQ
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

適用於汽車應用的高達8 A的單通道IGBT、MOSFET閘極驅動器,可提供高達1200 V阻隔電壓的增強型電流絕緣

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適用於汽車應用的高達8 A的單通道IGBT、MOSFET閘極驅動器,可提供高達1200 V阻隔電壓的增強型電流絕緣

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET