sid11xxkq
IGBT/MOSFET门极门极门极门极门极门极门极门极门极门极门极门极
应用
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产品
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数据手册
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IGBT电压等级
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最大开关频率
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（（（（大大））
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支持的模块
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逻辑输入电压
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保护功能
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技术
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接口类型
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支持的拓扑
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电源（典型）
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隔离类型
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隔离技术
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时间-输出输出下降
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时间-输出输出上升
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驱动模式
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主/外围
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并行支持？
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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数据表
pdf
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IGBT电压类
1200 v
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最大开关频率
75.0 kHz
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门峰值电流（最大）
+2 a
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
|
接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
|
隔离类型
加强
|
隔离技术
FluxLink
|
时间 - 输出下降
18 ns
|
时间 - 输出上升
22 ns
|
驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
|
并行支持？
不
|
|
|
数据表
pdf
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IGBT电压类
750 v
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最大开关频率
75.0 kHz
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门峰值电流（最大）
+8 a
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
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隔离类型
加强
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隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出下降
18 ns
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时间 - 输出上升
22 ns
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驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
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并行支持？
不
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数据表
pdf
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IGBT电压类
1200 v
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最大开关频率
75.0 kHz
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门峰值电流（最大）
+8 a
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
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隔离类型
加强
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隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出下降
18 ns
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时间 - 输出上升
22 ns
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驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
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并行支持？
不
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产品详情
SID11xxKQ是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其8 A峰值输出驱动电流可直接驱动600 A（典型值）的IGBT和MOSFET，sid11xxkq的的。的的最驱动驱动要求
该器件带高级（assd）的（desat），，，原方和副方副方的保护保护保护（uvlo）以及以及以及以及带温度温度和过程过程补偿输出，可可在严苛条件下能安全。。
PWM和和故障故障信号信号信号信号信号兼容信号信号信号信号逻辑
高度，外形，外形
- 独立的和关断管脚
- FluxLink技术技术技术原方副方提供绝缘绝缘绝缘
- 轨到轨输出电压稳压
- 副方单电源供电
- 适合600V/650V/750V/1200V IGBT和MOSFET功率功率开关
- 75kHz开关频率频率最高高
- 传输延迟时间短，仅260ns
- ±5 ns传输延迟抖动
- -40°C至125℃工作温度温度
- 具有较的共模瞬态模瞬态
- 9.5mm电气电气和爬电的的的封装
先进/安全/安全功能
- 原方和欠压（UVLO）与与反馈反馈
- vcesat监控和反馈的短路保护
- 高级软（ASSD）
完全符合各安规要求
- 产品100％进行局部测试测试
- 产品100％进行6 kV rms 1秒hipot合规性合规性测试
- 加强绝缘获vde 0884-10认证
- 通过aec-q100汽车级汽车级认证认证级级标准
环保封装
- 无卤素且符合
