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SCALE-iDriver集成电路

SCALE-iDriver系列门极驱动器IC可同时为IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驱动,也是首款将功率集成首创的FluxLink磁感双向通信技术引入1200 V和1700 V驱动器应用的产品。

  • FluxLink技术可省去寿命相对较短的光电器件和相关补偿电路,从而增强系统运行的可靠性,同时降低系统的复杂度
  • 先进的系统安全和保护功能(常用于中压和高压应用)可增强产品可靠性
  • 创新的eSOP封装具有9.5毫米爬电距离,并且相对漏电起痕指数(CTI)为600,可确保实现更大的工作电压裕量和更高的系统可靠性
  • 碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器IC可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级,经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC MOSFET的需求
  • aec-q100认证汽车应用SCALE-iDriver IC可在125°C结温下提供8 a驱动,并且可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600 v、650 v、750 v和1200 v IGBT和SiC逆变器设计

电源集成谈SCALE-iDriver

产品
产品
数据手册
产品描述
最大击穿电压
功率开关
SCALE-iDriver SIC1182K in sop - 24d封装
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘

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最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
SCALE-iDriver SIC118xKQ in sop - 24d封装
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和加强绝缘

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汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和加强绝缘

最大击穿电压750v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
SCALE-iDriver SID1102K InSOP-24D封装
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

5最大的单通道IGBT、MOSFET门极驱动器,可为耐压1200 v的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

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5最大的单通道IGBT、MOSFET门极驱动器,可为耐压1200 v的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11x1K in sop - 24d封装
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

单通道igbt / mosfet门极驱动器,可提供耐压650 v的加强绝缘

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单通道igbt / mosfet门极驱动器,可提供耐压650 v的加强绝缘

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11x2K in sop - 24d Package
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器ic

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具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器ic

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11xxKQ in sop - 24d封装
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

汽车专用可提供加强绝缘的单通道igbt / mosfet门极驱动器

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汽车专用可提供加强绝缘的单通道igbt / mosfet门极驱动器

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET