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SID11x1K

单通道igbt / mosfet门极驱动器,可提供耐压650 v的加强绝缘

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igbt电压等级
门极峰值电流(最大)
最大开关频率
支持的模块
逻辑输入电压
保护功能
技术
接口类型
支持的拓扑
电源电压 (典型)
隔离类型
隔离技术
時間 - 輸出上升
時間 - 輸出下降
驱动模式
主/外围
并行支持?
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IGBT电压等级 1200 V
栅极峰值电流(最大) + 5
最大开关频率 75.0千赫
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 基本主动夹紧,Adv软关机,动态Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-iDriver
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 5伏
隔离型 基本
隔离技术 Fluxlink
时间-产量上升 22 ns
时间-产量下降 18 ns
驱动方式 Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有
数据表 查看pdf
IGBT电压等级 1200 V
栅极峰值电流(最大) + 8
最大开关频率 75.0千赫
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 基本主动夹紧,Adv软关机,动态Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-iDriver
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 5伏
隔离型 基本
隔离技术 Fluxlink
时间-产量上升 22 ns
时间-产量下降 18 ns
驱动方式 Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有

产品详情

SID11x1K是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power integrics创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其8 a峰值输出驱动电流可直接驱动600 a(典型值)的开关器件,而无需使用外置推动级。对于超出SID11x1K的最大输出电流的门极驱动要求,可以在外部添加一个放大器(推动级)。稳定的门极正负电压由一个单绕组隔离电压源提供。

该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT),用于原方和副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS逻辑电平,使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15 V。

高度集成,外形紧凑

  • 独立的门极开通和关断管脚,可提供8 a峰值驱动电流
  • 集成的FluxLink™技术
  • 轨到轨输出电压且稳压
  • 副方单电源供电
  • 适合600v / 650v / 1200v igbt和mosfet功率开关
  • 可提供加强绝缘最大耐压650v
  • 可提供基本绝缘最大耐压1200v
  • 开关频率最高至75kHz
  • 传输延迟时间非常短,仅为260 ns
  • ±5 ns传输延迟抖动
  • -40℃至125℃工作环境温度
  • 具有较高的共模瞬态抗扰性
  • 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装

先进的保护/安全功能

  • 原方和副方欠压保护(uvlo)与故障反馈
  • 采用vCESAT监控和故障反馈的短路保护
  • 高级软关断(assd)

完全符合各项安规要求

  • 产品100%进行局部放电测试
  • 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试
  • Vde 0884-10加强绝缘认证正在申请中

环保封装

  • 无卤素且符合RoHS标准

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