SIT12xxI
最大1200 Vの強化絶縁を提供するSCALE-iDriverゲートドライバ集成电路用のDC / DCトランス
アプリケ，ション
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製品
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デ，タシ，ト
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チャネル数
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出力電力/チャネル-最大
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供給電圧 (標準)
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Igbt電圧クラス
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サポトされているモジュルタプ
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サポ，トされているトポロジ
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隔離タ@ @プ
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最大スepッチング周波数(kHz)
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動作温度 - 最小
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動作温度 - 最大
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数据表
PDFを表示
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通道数
2
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功率-输出/通道(最大)
1.3 W
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供电电压(类型)
15 V
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IGBT电压等级
600v, 650v, 1200v
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支持的模块类型
IGBT，碳化硅
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支持拓扑雷竞技官网网站
2开关向前
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隔离型
钢筋
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最大开关频率
150.0千赫
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温度-操作(Min)
-40℃
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温度-运行(最高)
105℃
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数据表
PDFを表示
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通道数
2
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功率-输出/通道(最大)
1.3 W
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供电电压(类型)
5伏
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IGBT电压等级
600v, 650v, 1200v
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支持的模块类型
IGBT，碳化硅
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支持拓扑雷竞技官网网站
2开关向前
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隔离型
钢筋
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最大开关频率
150.0千赫
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温度-操作(Min)
-40℃
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温度-运行(最高)
105℃
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製品詳細
革新的なトランスの”絶縁されたWire-in-Wire”構造は,低結合容量とともに優れた信頼性と強力な絶縁能力を実現します。この高い絶縁能力は，モ，ルド化合物を使用せずに実現されます。SIT12xxIトランスは、UL 及び VDE に準拠しており、市場投入までの期間短縮に貢献します。
SIT12xxI DC / DCトランスは,SCALE-iDriverICのゲート出力用に25 Vの2次側電圧を出力し,一次側電源電圧は5 Vまたは15 Vのいずれかを選択できます。
高い柔軟性，小さな実装面積
- フォワドコンバタ方式の最適化されたデュアルチャンネルdc / dcトランス
- 600v / 650v / 1200vのIGBT及びSiC MOSFET用途向けの強化絶縁
- すべてのSCALE-iDriver™ICで使用可能
- 一次側と二次側間の巻線比の選択可能
- -40℃~ 105℃の動作温度範囲
- 9 gの軽量トランス
- 結合容量10 pF未満
安全規格及び規制に準拠
- En 61558-2-16+ a1:2013準拠
- 100%的高压绝缘试验試験:5.4 kV RMS 1秒(一次側——二次側間),2.7 kV RMS 1秒(二次側——二次側間)
- 衝撃，振動に対する優れた堅牢性
•IEC 60721-3-3—Class 3M8及びIEC 60721-3-5—Class 5M3に容易に適合 - Vde準拠
- Ul1446準拠
グリ，ンパッケ，ジ
- ハロゲン化合物不使用，RoHS指令適合
