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Scale-2

Power Integrations的栅极驱动核心提供了一个高度灵活的解决方案,包括所有常用的驱动功能-包括电流隔离,保护,DC/DC转换器等。igbt的驱动内核具有从600V到6500V的阻塞电压能力,每个通道从1W到20W。它们也适用于驱动功率mosfet和基于新材料(SiC)的器件,工作频率高达500 kHz。

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설명
大鼠大鼠大鼠
전원스위치
1SC0450模块
1 sc0450
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单通道SCALE-2驱动核心1SC0450V和1SC0450E,最高集成度,灵活的4.5 kV和6.5 kV栅极驱动器,集成DC/DC转换器和光纤链路

描述

单通道SCALE-2驱动核心1SC0450V和1SC0450E,最高集成度,灵活的4.5 kV和6.5 kV栅极驱动器,集成DC/DC转换器和光纤链路

最大击穿电压4500v, 6500v 电源开关IGBT
2 1SC2060P模块
1 sc2060p
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单通道SCALE-2驱动核心采用平面变压器,60 A栅极电流用于并联驱动大型IGBT模块,20 W输出功率用于高达500 kHz的高频应用雷电竞靠谱吗

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单通道SCALE-2驱动核心采用平面变压器,60 A栅极电流用于并联驱动大型IGBT模块,20 W输出功率用于高达500 kHz的高频应用雷电竞靠谱吗

最大击穿电压1700 V 电源开关好的,SiC MOSFET
2+ 2SC0106T模块
2 sc0106t
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双通道SCALE-2+驱动核心,37至110 kVA逆变器设计的最高集成度,集成短路软关断功能

描述

双通道SCALE-2+驱动核心,37至110 kVA逆变器设计的最高集成度,集成短路软关断功能

最大击穿电压1200 V 电源开关IGBT
2SC0108T模块
2 sc0108t
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双通道SCALE-2+驱动核心,最高集成度超紧凑,高品质8A栅极电流和2 × 1 W输出功率

描述

双通道SCALE-2+驱动核心,最高集成度超紧凑,高品质8A栅极电流和2 × 1 W输出功率

最大击穿电压1700 V 电源开关IGBT
SCALE-2+ 2sc115t模块
2 sc0115t
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用于90 kW-500 kW逆变器的最小IGBT栅极驱动器,SCALE-2+ Technology,用于1200 V IGBT驱动器的电流解决方案,先进的主动箝位或SSD

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用于90 kW-500 kW逆变器的最小IGBT栅极驱动器,SCALE-2+ Technology,用于1200 V IGBT驱动器的电流解决方案,先进的主动箝位或SSD

最大击穿电压1200 V 电源开关好的,SiC MOSFET
2SC0435T模块
2 sc0435t
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新型2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17、2SC0435T2H0-17采用双通道SCALE-2+驱动核心,集成度最高,超紧凑,高品质35a栅极电流,2 × 4w输出功率

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新型2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17、2SC0435T2H0-17采用双通道SCALE-2+驱动核心,集成度最高,超紧凑,高品质35a栅极电流,2 × 4w输出功率

最大击穿电压1700 V 电源开关好的,SiC MOSFET
2SC0535T模块
2 sc0535t
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双通道SCALE-2驱动核心用于3.3 kV igbt,最高集成度,紧凑,高压,大功率,35a栅极电流和2 × 5w输出功率

描述

双通道SCALE-2驱动核心用于3.3 kV igbt,最高集成度,紧凑,高压,大功率,35a栅极电流和2 × 5w输出功率

最大击穿电压3300 V 电源开关好的,SiC MOSFET
SCALE-2 2SC0650P模块
2 sc0650p
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双通道SCALE-2驱动磁芯,平面变压器,最高集成度,大功率和高频的最高功率密度,50a栅极电流和2 × 6w输出功率

描述

双通道SCALE-2驱动磁芯,平面变压器,最高集成度,大功率和高频的最高功率密度,50a栅极电流和2 × 6w输出功率

最大击穿电压1700 V 电源开关好的,SiC MOSFET
2SD300C17模块
2 sd300c17
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双通道SCALE-2驱动核心,最高集成度,第二源英飞凌™2ED300C17-S, 30 A栅极电流和2 x 4 W驱动功率

描述

双通道SCALE-2驱动核心,最高集成度,第二源英飞凌™2ED300C17-S, 30 A栅极电流和2 x 4 W驱动功率

最大击穿电压1700 V 电源开关IGBT