SID11x2K
具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器ic
应用
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产品
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数据手册
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RDK
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门极峰值电流（最大）
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igbt电压等级
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最大开关频率
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支持的模块
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逻辑输入电压
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保护功能
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技术
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接口类型
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支持的拓扑
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电源电压 (典型)
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隔离类型
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隔离技术
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時間 - 輸出下降
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時間 - 輸出上升
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驱动模式
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主/外围
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并行支持？
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数据表
查看pdf
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RDK
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栅极峰值电流(最大)
+ 1个
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IGBT电压等级
1200 V
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最大开关频率
250.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
18 ns
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时间-产量上升
22 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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数据表
查看pdf
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RDK
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栅极峰值电流(最大)
+ 2
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IGBT电压等级
1200 V
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最大开关频率
250.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
18 ns
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时间-产量上升
22 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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数据表
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RDK
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栅极峰值电流(最大)
+ 5
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IGBT电压等级
1200 V
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最大开关频率
250.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
18 ns
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时间-产量上升
22 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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数据表
查看pdf
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RDK
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栅极峰值电流(最大)
+ 8
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IGBT电压等级
1200 V
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最大开关频率
250.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
18 ns
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时间-产量上升
22 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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产品详情
SID11x2K是采用标准eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用功率集成创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强电气绝缘。其峰值输出驱动电流可达8 A,可直接驱动600(典型值���的开关器件,而无需任何额外的有源元件。对于更大电流的半导体器件,其所要求的门极电流会超出SID11x2K的最大输出电流,可以在外部添加一个放大器(推动级)。稳定的门极正负电压由一个单极隔离电压源提供。
该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT),用于原方/副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。
控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS��辑电平,使用外部电阻分压可将逻辑电平调整到15 V。
- 高度集成，封装紧凑
- 独立的门极开通和关断管脚，可提供8 a峰值驱动电流
- 集成的FluxLink™技术为原方与副方提供可靠绝缘
- 稳定的轨到轨输出电压
- 副方供电为单极电源电压
- 适合600 v /650 v /1200 v igbt和mosfet功率开关
- 开关频率最高250千赫
- 传输延迟时间非常短，仅为260 ns
- 传输延迟抖动±5ns
- 工作环境温度介于-40℃至125℃之间
- 具有较高的共模瞬态抗扰性
- 采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
- 先进的保护/安全功能
- 原方和副方欠压保护(uvlo)与故障反馈
- 采用vcesat监控和故障反馈二极管*或电阻串**的短路保护(参见图1)
- 高级软关断(assd)
- 完全符合各项安规要求
- 产品100%进行局部放电测试
- 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试
- 符合vde 0884-10的加强绝缘标准
- ul认证:e358471
- 相比漏电起痕指数(cti) = 600
- 环保封装
- 无卤素且符合RoHS标准
