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2 sc0435t

双通道SCALE-2 +驱动核,适用2 sc0435t2f1-17 2 sc0435t2g1-17和2 sc0435t2h0-17,具有最高集成度,超紧凑,高质量;35一门极电流,2 x 4 W输出功率

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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 没有
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
选择信息 保形涂层版本2SC0435T2F1C-17
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 是的
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 没有
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 是的
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 没有
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
选择信息 保形涂层版本2SC0435T2H0C-17
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 是的
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有

产品详情

2sc0435t是一款新型的scale-2双通道驱动核,融合了设计紧凑,可靠性高与应用广泛的特点。2sc0435t可以驱动3600a / 1700v以下的所有常见igbt模块。这款驱动器支持多个驱动器直接并联,即使在额定功率更高的应用中,也能够实现简单的逆变器设计,并可支持多电平拓扑应用。

技术优势
2 sc0435t是我们目前在工业应用中最紧凑的驱动核之一,尺寸仅有57.2 x 51.6毫米高度为20毫米。与传统解决方案相比,SCALE-2芯片组可将元件数量减少多达85%,因此能够显著地提高可靠性,并降低成本。
2 sc0435t具备了双通道驱动核所必需的所有元件及功能,包括:隔离的DC / DC电源,短路保护以及电源电压监控功能。驱动器的原方与副方隔离,两个输出通道之间也隔离。

igbt模式
每个输出通道都可以提供35个的输出电流和4 W的驱动功率,使2 sc0435t适合驱动大功率模块和并联IGBT模块。在igbt模式下,驱动器可产生+ 15v / -10v的门极电压摆幅。对开通电压进行稳压,无论输出功率如何都使其保持在稳定的+15 v。
emc性能优异、即使在要求严苛的工业环境中也能安全可靠地运行。2sc0435t适合耐压1700 v以内的大功率igbt。

mosfet模式
2sc0435t内置了专用的mosfet模式。它允许…+ 20 + 10 V / 0 V的任何门极电压摆幅,以最大限度地利用驱动器的100 kHz的开关速度。
2 sc0435t驱动核输出功率高,延迟时间极短且抖动极小,专为大功率和超快速开关而设计,充分发掘最新的金属氧化物半导体功率器件的功能。

驱动并联的igbt
带有独立驱动器的igbt模块可实现任意数量的直接并联。驱动器直接并联是一种崭新的,开创性的概念,这使得IGBT并联的技术门槛大大降低,客户无需花太多时间对均流性进行调试。

直接并联:工作原理

2sc0435t可以驱动1700v以内的所有常见大功率igbt模块。其高度集成和高性价比的特点,提供了广泛的应用范围,尤其是太阳能和风能逆变器应用。

  • scale-2 +芯片组
  • 可提供原厂三防漆涂覆
  • 新的管脚,支持手工焊接、波峰焊接及其他可选的焊接工艺
  • 新的管脚长度(2.54mm;3.1mm;5.84mm),支持2mm PCB板厚
  • 完全无铅
  • 均采用了emc增强型技术
  • 电气及机械性能保持不变
  • 100%向下兼容
  • 所有型号均通过ul认证,且符合ul508c标准
  • 可驱动1700v以内的igbt
  • 开关频率最高100kHz
  • 延迟时间极短(<100ns)
  • 抖动小(±3ns)
  • 门极电流为±35a
  • + 15v(稳压)/ -10v门极驱动电压
  • 接口可识别3.3v…15v的逻辑电平
  • 直接模式和半桥模式
  • 支持驱动器直接并联
  • 支持两电平和多电平拓扑
  • igbt短路保护功能
  • 高级有源钳位功能
  • 隔离的dc / dc电源
  • 2 x 4W输出功率
  • 电源欠压保护功能
  • 符合en50178安全隔离要求
  • 通过ul认证:ul 508c nmms2/8
  • 和ul 60950-1 nwgq2/8
  • 提供符合RoHS标准的版本
  • 优越的emc性能
  • 性能可靠,工作寿命长
  • 尺寸:57.2mm x 51.6mm