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SCALE-iDriver集成电路

SCALE-iDriver™栅极驱动器ic系列,针对驱动igbt、传统mosfet和SiC mosfet进行了优化,是将Power integrics开创性的FluxLink™磁感应双向通信技术应用于1200 V和1700 V驱动器应用的第一款产品。雷电竞靠谱吗

  • FluxLink技术消除了对短寿命光电子和相关补偿电路的需求,从而提高了操作稳定性,同时降低了系统复杂性
  • 先进的系统安全性以及保护功能,常见于中高压应用,增强产品可靠性雷电竞靠谱吗
  • 创新的eSOP方案漏电9.5 mm,比较跟踪指数(CTI) = 600,确保了大量的工作电压裕量和高系统可靠性
  • 碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动ic可提供最高的峰值输出栅极电流,无需外部升压级,并可配置为支持不同的栅极驱动电压,以匹配当今SiC mosfet的要求范围
  • AEC-Q100合格汽车应用雷电竞靠谱吗SCALE-iDriver集成电路可以驱动高达8A @ 125°C的结温,并支持600、650、750和1200V IGBT和SiC逆变器设计,最高可达数百kW,无需升压级

Power integration谈到了SCALE-iDriver

产品
제품
데이터시트
설명
최대항복전압
전원스위치
SCALE-iDriver SIC1182K in sop - 24d封装
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는최대8 a단일채널SiC MOSFET게이트드라이버

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향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는최대8 a단일채널SiC MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
SCALE-iDriver SIC118xKQ in sop - 24d封装
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버

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향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버

最大击穿电压750v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
SCALE-iDriver SID1102K InSOP-24D封装
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

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多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11x1K in sop - 24d封装
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

최대650 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

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최대650 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11x2K in sop - 24d Package
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

강화된갈바닉절연성능을갖춘최대8 a의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

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강화된갈바닉절연성능을갖춘최대8 a의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11xxKQ in sop - 24d封装
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

최대1200 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘자동차애플리케이션용최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

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최대1200 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘자동차애플리케이션용최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET