使用电流探头监测一次侧的漏极电流，以查看漏极电流是否上升到过流保护阈值，这将是一个好主意。一个坏的SR场效应晶体管或错误的时间SR场效应晶体管驱动器会发生这种情况。这也是一个好主意，监测SR场效应晶体管驱动器在次要方面，以确保SR场效应晶体管保持关闭，而主要开关是在。

在SR场效应晶体管的测量过程中，电子器件受到了损坏。

大电流通过主侧并破坏IC。新放置的IC对电子设备不起作用。我会等到下次损坏电子时，再做一些测量。

我得到了另一个具有相同行为的电子。

这次我可以量一下尺寸。我没有电流探头来测量主MOSFET的漏极电流。

输出同步场效应管交叉导通事件可以破坏主开关场效应管或输出同步场效应管，或两者兼有。请分享您的设计文件，包括布局(如果可能)。由于布局程序的兼容性问题，图像文件比Gerber文件更适合于布局。

这里是电源的原理图。

如果主开关坏了，主侧和次侧应该都没有开关，对吗?

True -如果主开关短路，将没有主开关或副开关，可能也没有输入保险丝。

监测二级同步整流器上的电压、同步场效应晶体管的驱动信号和初级开关波形，以确保没有交叉导通事件，并且输出同步整流器的漏极电压额定值没有被超过，这是一个好主意。非最佳PCB布局可能使交叉导电事件更容易发生。

下一个电子坏了。

在50°C的循环测试中，电子工作良好超过2000h。在循环测试期间，电源电压也降低或关闭。

我把电子设备从试验室拿出来，在uC上放了一个新程序，之后Innoswitch就不能再工作了。

没有关于你的设计的信息，我不能做太多的帮助你。我以前要求示意图和布局图片-这些将有助于诊断您的问题。