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延期 - 高性能开关电源设计实战技术培训会 - 北京站

高性能开关电源设计实战技术培训会
2022年5月14日

中国
北京市西城区
西四南大街62号
北京天健宾馆1楼宴会厅


由电源网主办的高性能开关电源设计技术培训会暨电源网20周年线下巡展 - 北京站,受疫情影响将延期举行,新日期决定后将立即宣布。届时Power Integrations技术专家将带来精彩的专场演讲,请您密切关注活动最新信息。

为实现最大功率变换效率选择正确的开关- MOSFET和GaN

  • 主讲:张俊雄,ac-dc产品线应用工程师

宽禁带器件为功率变换带来了显著的效率优势。PowiGaN可显著降低RDS(上),这意味着传统DCM PFC电路中(受升压开关中的传导损耗限制)的150 W实际输出功率限值可以得以大幅提高。硅基开关仍然很重要,非常适合于可消除开关损耗的谐振拓扑结构,在优化效率方面也非常有效。

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