ソリュションファンダ 技術サポ,ト

2 sc0435t

デュアルチャンネルSCALE-2 +ドライバコア,新しい2 sc0435t2f1-17 2 sc0435t2g1-17 2 sc0435t2h0-17高い統合レベル,超小型,高品質35一个ゲート電流,及び2 x 4 W出力電力

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製品
デ,タシ,ト
Igbt電圧クラス
チャネル数
樹脂コティング?
サポトされているモジュルタプ
ロジック入力電圧
保護機能
技術
@ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @
サポ,トされているトポロジ
供給電圧 (標準)
ゲ,トタ,ンオン電圧
ゲ,トタ,ンオフ電圧
出力電力/チャネル-最大
ゲ、トピ、ク電流(最大)
隔離タ@ @プ
分離技術
最大スepッチング周波数(kHz)
時間 - 出力低下
時間-出力の上昇
ドラ▪▪ブモ▪▪ド
メ▪▪ン/周辺
选择信息
並列サポト?
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 没有
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
选择信息 保形涂层版本2SC0435T2F1C-17
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 是的
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 没有
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 是的
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 没有
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
选择信息 保形涂层版本2SC0435T2H0C-17
并联支持吗? 没有
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IGBT电压等级 1700 V
通道数 2
保形涂层吗? 是的
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2 +
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 15 V
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.1 V
功率-输出/通道(最大) 6.0 W
栅极峰值电流(最大) + 35
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 100.0千赫
时间-产量下降 20纳秒
时间-产量上升 20纳秒
驱动方式 Halfbridge, Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有

製品詳細

2 sc0435tは,小型設計と高い信頼性,更に幅広いアプリケーションに対応した新しいトのSCALE-2デュアルドライバコアです。2 sc0435tは、最大 3,600 A /1200 V または 3600 A / 1700 V で一般的なあらゆる IGBT モジュールを駆動します。内蔵並列機能により、高い電力定格でもインバータ設計がシンプルになります。マルチレベル トポロジもサポートされます。

この技術の特長
2 sc0435tは,産業用の用途に利用できる最も小型のドライバコアの1つで,面積がわずか57.2 x 51.6毫米,外形が20毫米です。SCALE-2チップセットでは,従来のソリューションと比較して部品数が最大85%減少するため,大幅に信頼性が高くなり,コスト��削減されます。
2 sc0435tは絶縁型DC / DCコンバータ,短絡保護,及び電源電圧監視などの駆動に必要なすべての部品とフル機能2チャンネルドライブコアを内蔵しています。2の出力チャンネルのそれぞれが一次側及び他の二次チャンネルから電気的に絶縁されています。

Igbtモ,ド
チャンネルごとに35一个の出力電流及び4 Wのドライブ電力を利用でき,2 sc0435tを高電力モジュールと並列接続IGBTモジュールの両方に適したドライバとして選択できます。専用igbtモドでは,ドラバが+ 15v / - 10vのゲト電圧振幅に対応します。出力電力レベルに関係なく安定した15 vを維持するように,タンオン電圧が規定されています。
卓越したemc性能により、過酷な産業用途でも信頼度の高い安全な動作を実現できます。2sc0435tはブロック電圧が最大1700 vの高電力igbtに最適です。

Mosfetモ,ド
2sc0435tには専用mosfetモ,ドに対応しています。これによって+ 10 V 0 ~ + 20 V / Vのゲート電圧振幅が実現し,ほとんどのドライバのスイッチング速度が100 kHzになります。
高出力電力,非常に短い遅延,非常に小さいジッターの2 sc0435tドライバコアは,高電力,超高速スイッチング,最先端のMOS電源デバイスの機能を十分に活用するように設計されています。

並列接続igbtの駆動
このドラバでは,個々のドラバと任意の数のigbtモジュルの直接並列接続が可能です。この新しい先進的な概念により,開発時の大きな負担を軽減して,個別のモジュールによる直列接続と同様,並列接続されたIGBTでコンバータを構成できるようになりました。•直接並列接続:どのような仕組みか(リンクを挿入)

2 sc0435tは,最大1700 vまでの標準的なすべての高出力IGBTモジュールを駆動します。そのコンパクトさと費用対効果により,広く適用できます,特に太陽光/風力発電用途に適しています。

  • Scale-2 +チップセット
  • 樹脂コ,ティングで利用できる
  • ハ,ド,ウェ,ブ,選択的はんだ付け処理用の新しいピン
  • 2mm PCBに対応した新しいピン長(2,54mm, 3,1mm, 5,84mm)
  • すべて鉛フリ
  • すべてに進化したemc技術が採用
  • 電気的性能及び機械的性能に変更はなし
  • 下位アesc escテムとの互換性は100%
  • 全タesc escプが,ul508c及びulにおいてulリスト化されています。
  • 规模™2 +技術,1200 V IGBTドライバのガルバニックソリューション,高度なアクティブクランプまたはSSDを搭載
  • 最大1700vのブロック電圧
  • 最大100kHzのス电子邮箱ッチング周波数
  • 100ナノ秒未満という非常に短い遅延時間
  • ±3ナノ秒の小さいジッタ
  • ±35aのゲ,ト電流
  • + 15v(規定)/ -10vゲトの駆動
  • 3.3v ~ 15vの論理レベルの转换器ンタ转换器フェ转换器ス
  • 直接モ,ド及びハ,フブリッジモ,ド
  • 内蔵並列機能
  • 2レベル及びマルチレベルのトポロジ
  • Igbt短絡保護
  • アドバンストアクティブクランプ
  • 絶縁型dc / dcコンバタ
  • 2 x 4W出力電力
  • 入力低電圧ロックアウト
  • En50178二対応した絶縁仕様
  • Ul認証:Ul 508c nmms2/8
  • 及びul 60950-1 nwgq2/8
  • RoHS対応
  • 優れたemc
  • 高信頼性,長い耐用年数
  • 面積:57.2mm x 51.6mm