ソリュションファンダ 技術サポ,ト

1 sc2060p

プレーナートランスが付属しているシングルチャンネルSCALE-2ドライバコア,大型のIGBTモジュールを並列で駆動するための60のゲート電流,最大500 kHzの高周波用途向けの20 Wの出力電力

アプリケ,ション
电机控制图标
伺服电机图标
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太阳图标
工业图标
风图标
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产品部分
製品
デ,タシ,ト
Igbt電圧クラス
チャネル数
樹脂コティング?
サポトされているモジュルタプ
保護機能
技術
@ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @
サポ,トされているトポロジ
ゲ,トタ,ンオン電圧
ゲ,トタ,ンオフ電圧
出力電力/チャネル-最大
ゲ、トピ、ク電流(最大)
隔離タ@ @プ
分離技術
最大スepッチング周波数(kHz)
時間 - 出力低下
時間-出力の上昇
ドラ▪▪ブモ▪▪ド
メ▪▪ン/周辺
並列サポト?
数据表 PDFを表示
IGBT电压等级 1700 V
通道数 1
保形涂层吗? 没有
支持的模块类型 IGBT, n通道MOSFET
保护功能 Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-2
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
栅极接通电压 + 15.0 V
栅极关断电压 ——10.5 V
功率-输出/通道(最大) 23.0 W
栅极峰值电流(最大) 60 +
隔离型 钢筋
隔离技术
最大开关频率 500.0千赫
时间-产量下降 15 ns
时间-产量上升 10纳秒
驱动方式 Direct-Independent
主要/外围 N/A
并联支持吗? 没有

製品詳細

1 sc2060pは概念のドライバコアファミリーを構成する電力レベルが最も高い最新製品です。高性能のSCALE-2ドライバは,高電力のシングルチャンネルIGBT及びMOSFETの用途(誘導加熱,共振,高周波電力変換,大規模のモジュールの並列ゲート駆動など)を対象としています。
プレ,ナ,トランス技術の使用により,電力密度,ノ,ズ耐性,及び信頼性が大幅に向上します。
最新のSCALE-2チップセットが搭載されているゲートドライバは,クラス最高の効率を実現し,最大500 kHzでのスイッチングをサポートします。1 sc2060pは DC/DC コンバータ、短絡保護、アドバンスト アクティブ クランプ、及び電源電圧監視のすべてが搭載されたフル機能シングル チャンネル IGBT ドライブ コアによって効果的に構成されています。
この寸法44毫米x 74毫米,高さわずか7毫米の超小型1 sc2060pは魅力的な形状で高い電力密度を実現します。高集積度のSCALE-2チップセットでは,従来のソリューションと比較して部品数が80%減少するため,大幅に信頼性が高くなり,コストが削減されます。
並列機能が組み込まれており,より高い電力定格に対応する。

Igbtモ,ド
60ゲート電流を20 W出力電力と統合することにより,1 sc2060pは大規模なIGBTモジュールを駆動するシングルゲートと並列ゲートの両方に最適な高電力ドライバプラットフォームとなっています。専用igbtモドでは,ドラバが+ 15v / - 10vのゲト電圧振幅に対応します。出力電力レベルに関係なく安定した15 vを維持するように,タンオン電圧が規定されています。
優れたemcパフォマンスにより,業界で最も過酷な環境でも確実に動作することができます。1sc2060pはブロック電圧が最大1700 vの高電力igbtに最適です。

Mosfetモ,ド
高出力電力,非常に短い遅延,非常に小さいジッターの1 sc2060pドライバコアは,高電力,超高速スイッチング,最先端のMOS電源デバイスの機能を十分に活用するように設計されています。

高速ス▪▪ッチングアプリケ▪▪ションの利点
高速スイッチングは,高いドライブ電力や高い周波数を必要とするだけではなく,ドライバの遅延時間や関連するジッターなどの極めて重要なパラメータに対しても厳しい制御が要求されます。遅延が短い高速ドラ@ @バでは,電力システムの制御ル@ @プでの位相の遅れが大幅に減少します。位相の遅れが少ないことは制御ループの安定性を維持するための必須条件であり,高速スイッチングの利点を十分に活用できるようにします。

80年1 sc2060pはナノ秒未満の遅延時間及び±1ナノ秒未満の非常に低いジッターを実現する高速信号伝送に対応した,SCALE-2の特長を持っています。この独自の高出力電力と安定した精度が組み合わされ,1 sc2060pはタイミングマージンの厳密な制御が不可欠なシステムを最適化するための最もふさわしい選択肢となっています。

プレーナートランス技術の使用により,トランスの浮遊誘導率の低減,超薄型設計,超高電力密度が実現します。

  • ウルトラフラットソリュ,ション
  • 絶縁型プレ,ナ,トランス
  • 最大1700vのブロック電圧
  • 最大500kHzのス电子邮箱ッチング周波数
  • 80ナノ秒未満という非常に短い遅延時間
  • ±1ナノ秒未満という非常に小さいジッタ
  • ±60a高ゲ,ト電流
  • シュミットトリガ入力
  • 3.3v ~ 15vの論理レベルの转换器ンタ转换器フェ转换器ス
  • すべてのロジックファミリ,に対応
  • 組み込み並列機能
  • 2レベル及びマルチレベルのトポロジ
  • Igbt短絡保護
  • アドバンストアクティブクランプ
  • 絶縁型dc / dcコンバタ
  • 20w出力電力
  • 入力低電圧ロックアウト
  • En50178に対応した絶縁
  • Ul準拠
  • 優れたemc
  • 高信頼性,長い耐用年数