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仪表和工业应用

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仪表/智能电表

功率集成可提供一系列高度集成的高压IC,用于设计电表及自动抄表系统(ARM)应用中的电源。每片ic都包含一个高压功率mosfet,它在一个单芯片上集成了控制及保护电路。

特色包括:

  • 电流限流和热关断(提供自动故障恢复功能),可提高可靠性
  • 频率抖动可降低emi
  • 采用EcoSmart™技术,可最大程度提高整个负载范围内的效率

對於需要1.9安全係數與線電壓的電表、功率集成有三個產品系列可搭配900 V MOSFET在最高450伏輸入電壓下安全地工作。

  • InnoSwitch3-EP具有整合的同步整流控制器,可最大化效率。最適用於需要10 w以上功率之amr的電源供應器
  • LinkSwitch-XT2可針對最高功率達10 w的隔離和非隔離低功率應用提供所需元件最少的切換開關解決方案
  • LinkSwitch-TN2外围元件最少、替代电容降压型电源的节能解决方案

工业控制

电源集成针对工业应用推出了一系列高度集成的高压IC。每片ic都在一个单一晶片上同时集成了一个高压功率mosfet及其它控制及保护电路。其功能特点包括电流限流及故障情况下具有自动恢复特性的热关断保护特点,从而可以提高可靠性。另外,频率调制特性可以降低emi。

电机控制

功率集成提供了一系列针对电机控制及小直流电机驱动辅助电源的高度集成高压IC。每个ic都在单个芯片上集成了一个≥700 v的功率mosfet,控制电路及保护电路。它所拥有的产品特色包括电流限流,提高可靠性且具有自动故障恢复功能的过热关断保护特性,降低电磁干扰的频率调制特性以及显著降低待机能耗的)技术。

参考设计

额外的文件
设计
产品
DER-913 - 35w电源,40- 1000vdc输入,使用InnoSwitch3-EP (1700 V SiC开关)
产品 InnoSwitch3-EP
DER-708 - 9.9 W宽量程输入,双输出,隔离反激转换器用于公用工程仪表的抗磁化干扰,使用LinkSwitch-XT2 900 V
产品 LinkSwitch-XT2
DER-931 - 72w工业/家用电源采用InnoSwitch4-CZ, ClampZero和MinE-CAP
产品 InnoSwitch4-CZ, ClampZero, MinE-CAP
DER-712 - 60w超宽输入范围适配器使用InnoSwitch3-EP PowiGaN和MinE-CAP
产品 InnoSwitch3-EP, MinE-CAP
DER-711 - 6.6 W宽量程输入,双输出,隔离反激转换器用于公用事业仪表的抗磁化干扰,使用LinkSwitch-XT2 900 V
产品 LinkSwitch-XT2
RDR-877 - 6w隔离反激电源,使用LinkSwitch-TNZ零损耗产生交流过零信号
产品 LinkSwitch-TNZ
DER-879 - 10w隔离反激电源,无损耗产生交流过零信号和X电容放电使用LinkSwitch-TNZ
产品 LinkSwitch-TNZ
DER-881 - 14.5 W双输出隔离反激电源使用tinswitchch -4
产品 TinySwitch-4
DER-868 - 60w电源采用InnoSwitch3-EP PowiGaN技术
产品 InnoSwitch3-EP
DER-845 - 4.8 W非隔离Buck转换器使用900 V LinkSwitch-TN2
产品 LinkSwitch-TN2
DER-831 - 2.5 W非隔离反激电源使用LinkSwitch-CV
产品 LinkSwitch-CV
RDR-805 - 100w USB PD 3.0, 3.3 V-21 V PPS电源,使用InnoSwitch3-Pro和VIA Labs VP302控制器
产品 InnoSwitch3-Pro, HiperPFS-4, cap0 -2
DER-745 - 10w双输出电源采用InnoSwitch3-EP 900v
产品 InnoSwitch3-EP
RDR-737 - 1.44 W非隔离Buck变换器使用LinkSwitch-TN2 900v
产品 LinkSwitch-TN2
RDR-736 - 7w宽范围输入,双输出,非隔离反激转换器使用LinkSwitch-XT2 900 V
产品 LinkSwitch-XT2
DER-744 - 8w宽量程输入,双输出,非隔离反激转换器使用LinkSwitch-XT2
产品 LinkSwitch-XT2
RDR-641 - 40w可变输出(3v至8v, 5a;8 V - 20 V恒定电源)使用InnoSwitch3-Pro和Microchip的PIC16F18325微控制器
产品 InnoSwitch3-Pro
RDR-611 - 10w双输出电源
产品 InnoSwitch3-EP
DI-164 - 1w,低成本,线性替换电源,减少输入电解电容器的需求
产品 LinkSwitch-LP

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产品
数据手册
拓扑结构
电压等级
产品描述
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拓扑结构 PFC
功率级 240 W
描述

内部集成750vPowiGaN开关的先进的功率因数校正(pfc)控制器ic,可在整个载范围内实现高功率因数(pf)和高效率。

  • 对于功率高达240W的LLC拓扑结构,PFS517xF可与HiperLCS-2芯片组搭配使用
  • 对于功率高达110W的反激式拓扑结构,PFS527xF(自偏置供电)可与InnoSwitch4-CZ开关ic搭配使用
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拓扑结构 反激式,非孤立反激式
功率级 21 W
描述

内部集成725v初级mosfet,同步整流,次级侧控制的高效率离线反激式恒压/恒流准谐振开关ic

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拓扑结构 回扫
功率级 220 W
描述

内部集成高压开关、与InnoSwitch4系列离线式开关ic搭配使用的有源钳位ic

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拓扑结构 反激式,次级侧-通量链接调节
功率级 220 W
描述

集成750V PowiGaN,有源钳位驱动和同步整流,与ClampZero有源钳位ic搭配使用的恒压/恒流离线反激式集成开关ic

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拓扑结构 副侧-光电调节,非隔离反激,降压/升压/降压-升压
功率级 18 W
描述

具有一流轻载效率和无损耗ac过零点检测功能的高效离线式开关ic

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拓扑结构 反激式,次级侧-通量链接调节
功率级 100 W
描述

集成了高压初级侧开关,同步整流,FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源IC

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拓扑结构 PFC
功率级 610 W
描述

采用集成600 v mosfet的pfc控制器可在整个负载范围内提供高功率因数,具有高效率

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拓扑结构 二次侧-光电调节,非隔离反激
功率级 5 W
描述

集成了系统级保护的高能效,低功率,离线式开关电源ic

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拓扑结构 非隔离反激式,降压/升压/降压-升压
功率级 360毫安
描述

集成了系统级保护的高能效725 V / 900 V MOSFET离线式开关电源IC可实现低元件数的电源设计

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拓扑结构 PFC
功率级 1000 W
描述

采用集成高压MOSFET和Qspeed二极管的PFC控制器可在整个负载范围内提供高功率因数及高效率

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拓扑结构 任何
功率级 N/A
描述

零功耗x电容自动放电ic

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拓扑结构 主侧调节
功率级 10 W
描述

适用于适配器和充电器的高能效,精确初级侧调节的恒压/恒流开关ic

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拓扑结构 2开关向前
功率级 586 W
描述

将双开关正向主电源转换器及反激式待机电源转换器与高压功率mosfet集成

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拓扑结构 二次侧-光电调节
功率级 N/A
描述

带线电压补偿过载功率的高效离线式开关ic

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拓扑结构 主侧调节
功率级 153 W
描述

采用精确初级侧稳压(psr)的高能效,高功率离线式开关ic

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拓扑结构 任何
功率级 N/A
描述

快速硅二极管,具有一流的emi性能

  • VRRM- 150v, 200v, 300v, 600v
  • F (AVG)- 3a - 40a
  • RR- 5 nC - 61 nC
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拓扑结构 任何
功率级 N/A
描述

快速硅二极管,在emi性能与开关速度之间实现平衡

  • VRRM- 600v
  • F (AVG)- 3个a - 20个a
  • RR—21nc—51nc
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拓扑结构 任何
功率级 N/A
描述

超快速硅二极管

  • VRRM- 600v
  • F (AVG)- 3个a - 12个a
  • RR—5.9常控—8.9常控
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拓扑结构 主侧调节
功率级 12 W
描述

LinkSwitch-CV通过省去光耦器和次级控制电路,可以大大简化低功率电源的设计。

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拓扑结构 二次侧-光电调节
功率级 100 W
描述 满足16-75 vdc电压输入且功率高达100 w的dc-dc解决方案

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