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SCALE-iDriver集成电路

SCALE-iDriver™系列栅极驱动ic针对驱动igbt、传统mosfet和SiC mosfet进行了优化,是首款将Power Integrations公司开创性的FluxLink™磁感双向通信技术应用于1200 V和1700 V驱动应用的产品。雷电竞靠谱吗

  • FluxLink技术消除了对短寿命光电子器件和相关补偿电路的需求,从而提高了操作稳定性,同时降低了系统的复杂性
  • 先进的系统安全性以及保护功能,通常用于中、高压应用,提高产品的可靠性雷电竞靠谱吗
  • 创新的员工持股计划具有9.5 mm漏电和比较跟踪指数(CTI) = 600,确保大量的工作电压裕度和高系统可靠性
  • 碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动ic在没有外部升压级的情况下提供最高的峰值输出栅极电流,并且可以配置为支持与当今SiC mosfet中看到的要求范围相匹配的不同栅极驱动电压
  • AEC-Q100合格汽车应用雷电竞靠谱吗SCALE-iDriver集成电路可以驱动高达8A @ 125°C结温,并支持600,650,750和1200V的IGBT和SiC逆变器设计,高达数百千瓦,没有升压级

Power integration谈到scale - driver

产品
제품
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설명
大鼠大鼠大鼠
전원스위치
scale - driver SIC1182K in InSOP-24D Package
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는최대8 a단일채널SiC MOSFET게이트드라이버

数据表PDF * * * 描述

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는최대8 a단일채널SiC MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
isop - 24d封装中的scale - driver SIC118xKQ
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버

数据表PDF * * * 描述

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버

最大击穿电压750伏,1200伏 电源开关SiC MOSFET
scale - driver SID1102K in InSOP-24D Package
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

数据表PDF * * * 描述

多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
scale - driver SID11x1K in InSOP-24D Package
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

최대650 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

数据表PDF * * * 描述

최대650 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
scale - driver SID11x2K in InSOP-24D Package
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

강화된갈바닉절연성능을갖춘최대8 a의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

数据表PDF * * * 描述

강화된갈바닉절연성능을갖춘최대8 a의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D封装中的scale - driver SID11xxKQ
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

최대1200 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘자동차애플리케이션용최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

数据表PDF * * * 描述

최대1200 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘자동차애플리케이션용최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET