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产品
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支持拓扑雷竞技官网网站
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驱动方式
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主要/外围
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并联支持吗?
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数据表
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电压等级
1200 V
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栅极峰值电流(Max)
+ 5
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最大开关频率
75.0千赫
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支持模块类型
IGBT, n沟道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本主动箝位，Adv软关断，动态Adv主动箝位，短路，UVLO(sec侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np夹紧- 1型，3级np夹紧- 2型，多级np夹紧
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电源电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-输出下降
14 ns
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时间-产量上升
29 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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产品详细信息
SID1102K是eSOP宽体封装的单通道IGBT和MOSFET栅极驱动器。Power Integrations创新的固体绝缘体FluxLink™技术提供了增强的电流隔离。高达5 A的峰值输出驱动电流使产品能够驱动标称电流高达300 A的设备。升压级可用于超过5 A的栅极驱动器要求，AUXGL和AUXGH输出引脚驱动外部n沟道mosfet高达60 A。
控制器(PWM)信号与5 V CMOS逻辑兼容，也可以通过使用外部电阻分压器调整到15 V电平。二次侧电压管理提供双极栅极驱动电压从+15到-10 V，而只需要+25 V单极电压。+ 15v栅极驱动电压由芯片内部Vee稳压器调节。欠压注销关闭栅极信号并保持IGBT或MOSFET处于安全运行状态。
- IGBT栅极驱动器具有广泛灵活的用途，可驱动高达1200v的IGBT模块和高达3600a的IGBT电流。
- 单通道提供高达5 A的峰值栅极驱动电流，没有升压器
- 外部高侧和低侧n通道升压级辅助输出，增加峰值驱动电流高达60A
- 欠压退出
- 集成FluxLink技术，在主端和从端之间提供安全隔离
- 轨对轨稳定输出电压
- 二次侧单极电源电压
- 适用于600 V / 650 V / 1200 V的IGBT和MOSFET开关
- 开关频率高达75khz
- 传播延迟抖动±5 ns
- 工作环境温度为-40℃~ 125℃
- 高共模瞬态抗扰度
- eSOP包9.5毫米爬电和间隙
